CF4是干法刻蚀工序中的常用气体，它除了在干法刻蚀中被经常用到外，在真空腔室的清洁中，也是不可或缺的气体。那么CF4气体有哪些物化性质？高纯CF4气体会有哪些杂质？可以用在哪些晶圆材料的刻蚀？
CF4的分子结构
CF4，全名carbon tetrafluoride，中文名称四氟化碳，也可以叫做四氟甲烷，全氟化碳。每个碳原子周围有四个氟原子而形成了四个碳氟键，即氟原子取代了甲烷（CH4）原有的H原子的位置。而碳氟键几乎是有机物质中最强的化学键，具有极强的稳定性。CH3F(氟甲烷),CH2F2（二氟甲烷）,CHF3（三氟甲烷）,CF4（四氟甲烷）均含有不同数量的碳氟键，随着碳氟键数量的增多，碳氟键的键能也逐渐增高。
展开剩余72%CF4的物化性质
物理性质分子量：88.0043 g/mol
外观：无色的气体
气味：无味无毒
可燃性：不可燃
溶解性：在水中的溶解性很低
化学性质
由于CF4的键能很高，因此CF4是一种化学性质非常稳定的气体，它不容易与其他化合物发生化学反应。是一种温室气体，在大气中的寿命长达 50,000 年。
CF4的刻蚀机理
有的朋友可能会有疑问，上文不是说CF4的化学性质不活波吗，那为什么经常会用做刻蚀气体？
这是因为，CF4在常温和常压下确实不活泼，但在高能量的等离子体环境下，它可以被激发并分解，生成F自由基。氟自由基是一个高度反应性的粒子，它可以与许多材料发生化学反应，形成挥发性的氟化物，并通过真空泵被排除出腔体。具体化学反应式可表示为：
Si+F∗-->SiF4↑
SiO2+4F*-->SiF4↑+O2
photoresist+F*-->CFx↑
其中，CFx表示含氟的挥发性气体，photoresist指代光刻胶。
CF4在半导体制程的应用
1，光刻胶去除
在光刻过程后，用过的光刻胶通常需要被去除。可以用于光刻后的光刻胶去除、或在金属刻蚀之后的光刻胶去除。
2，多晶硅刻蚀
3，氟化聚合物的刻蚀和表面改性
可以与许多氟化聚合物（如PTFE）发生反应，去除材料或修改表面性质。用于微流体芯片的制备等
4，金属微蚀刻
尽管CF4通常不直接用于金属刻蚀，但它可以与其他气体混合，以增强金属蚀刻过程。氟自由基可以改变金属表面的化学性质，使得金属更容易被氧化和蚀刻。
99.999%的高纯CF4气体规格
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